STB30NM60N
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Číslo dílu
STB30NM60N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21986 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB30NM60N
STB30NM60N Elektronické komponenty
STB30NM60N Odbyt
STB30NM60N Dodavatel
STB30NM60N Distributor
STB30NM60N Datová tabulka
STB30NM60N Fotky
STB30NM60N Cena
STB30NM60N Nabídka
STB30NM60N Nejnižší cena
STB30NM60N Vyhledávání
STB30NM60N Nákup
STB30NM60N Chip