Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB28NM60ND

STB28NM60ND

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
Číslo dílu
STB28NM60ND
Výrobce/značka
Série
FDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
150 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2090pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10599 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova STB28NM60ND
STB28NM60ND Elektronické komponenty
STB28NM60ND Odbyt
STB28NM60ND Dodavatel
STB28NM60ND Distributor
STB28NM60ND Datová tabulka
STB28NM60ND Fotky
STB28NM60ND Cena
STB28NM60ND Nabídka
STB28NM60ND Nejnižší cena
STB28NM60ND Vyhledávání
STB28NM60ND Nákup
STB28NM60ND Chip