STB28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Číslo dílu
STB28N65M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1440pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32974 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB28N65M2
STB28N65M2 Elektronické komponenty
STB28N65M2 Odbyt
STB28N65M2 Dodavatel
STB28N65M2 Distributor
STB28N65M2 Datová tabulka
STB28N65M2 Fotky
STB28N65M2 Cena
STB28N65M2 Nabídka
STB28N65M2 Nejnižší cena
STB28N65M2 Vyhledávání
STB28N65M2 Nákup
STB28N65M2 Chip