STB28N60DM2
MOSFET N-CH 600V 21A
Číslo dílu
STB28N60DM2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ DM2
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
170W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46956 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB28N60DM2
STB28N60DM2 Elektronické komponenty
STB28N60DM2 Odbyt
STB28N60DM2 Dodavatel
STB28N60DM2 Distributor
STB28N60DM2 Datová tabulka
STB28N60DM2 Fotky
STB28N60DM2 Cena
STB28N60DM2 Nabídka
STB28N60DM2 Nejnižší cena
STB28N60DM2 Vyhledávání
STB28N60DM2 Nákup
STB28N60DM2 Chip