Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB26NM60ND

STB26NM60ND

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Číslo dílu
STB26NM60ND
Výrobce/značka
Série
FDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
175 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1817pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38046 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova STB26NM60ND
STB26NM60ND Elektronické komponenty
STB26NM60ND Odbyt
STB26NM60ND Dodavatel
STB26NM60ND Distributor
STB26NM60ND Datová tabulka
STB26NM60ND Fotky
STB26NM60ND Cena
STB26NM60ND Nabídka
STB26NM60ND Nejnižší cena
STB26NM60ND Vyhledávání
STB26NM60ND Nákup
STB26NM60ND Chip