STB25NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Číslo dílu
STB25NM60ND
Výrobce/značka
Série
FDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
160 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43428 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB25NM60ND
STB25NM60ND Elektronické komponenty
STB25NM60ND Odbyt
STB25NM60ND Dodavatel
STB25NM60ND Distributor
STB25NM60ND Datová tabulka
STB25NM60ND Fotky
STB25NM60ND Cena
STB25NM60ND Nabídka
STB25NM60ND Nejnižší cena
STB25NM60ND Vyhledávání
STB25NM60ND Nákup
STB25NM60ND Chip