Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB25NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
Číslo dílu
STB25NM50N-1
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
140 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2565pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15637 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB25NM50N-1
STB25NM50N-1 Elektronické komponenty
STB25NM50N-1 Odbyt
STB25NM50N-1 Dodavatel
STB25NM50N-1 Distributor
STB25NM50N-1 Datová tabulka
STB25NM50N-1 Fotky
STB25NM50N-1 Cena
STB25NM50N-1 Nabídka
STB25NM50N-1 Nejnižší cena
STB25NM50N-1 Vyhledávání
STB25NM50N-1 Nákup
STB25NM50N-1 Chip