STB24NM65N
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK
Číslo dílu
STB24NM65N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27629 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB24NM65N
STB24NM65N Elektronické komponenty
STB24NM65N Odbyt
STB24NM65N Dodavatel
STB24NM65N Distributor
STB24NM65N Datová tabulka
STB24NM65N Fotky
STB24NM65N Cena
STB24NM65N Nabídka
STB24NM65N Nejnižší cena
STB24NM65N Vyhledávání
STB24NM65N Nákup
STB24NM65N Chip