Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
Číslo dílu
STB23NM60ND
Výrobce/značka
Série
FDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2050pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20728 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB23NM60ND
STB23NM60ND Elektronické komponenty
STB23NM60ND Odbyt
STB23NM60ND Dodavatel
STB23NM60ND Distributor
STB23NM60ND Datová tabulka
STB23NM60ND Fotky
STB23NM60ND Cena
STB23NM60ND Nabídka
STB23NM60ND Nejnižší cena
STB23NM60ND Vyhledávání
STB23NM60ND Nákup
STB23NM60ND Chip