Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB23NM60N
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Číslo dílu
STB23NM60N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2050pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41770 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB23NM60N
STB23NM60N Elektronické komponenty
STB23NM60N Odbyt
STB23NM60N Dodavatel
STB23NM60N Distributor
STB23NM60N Datová tabulka
STB23NM60N Fotky
STB23NM60N Cena
STB23NM60N Nabídka
STB23NM60N Nejnižší cena
STB23NM60N Vyhledávání
STB23NM60N Nákup
STB23NM60N Chip