STB23NM50N
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Číslo dílu
STB23NM50N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11187 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB23NM50N
STB23NM50N Elektronické komponenty
STB23NM50N Odbyt
STB23NM50N Dodavatel
STB23NM50N Distributor
STB23NM50N Datová tabulka
STB23NM50N Fotky
STB23NM50N Cena
STB23NM50N Nabídka
STB23NM50N Nejnižší cena
STB23NM50N Vyhledávání
STB23NM50N Nákup
STB23NM50N Chip