STB21NM50N
MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
Číslo dílu
STB21NM50N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1950pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28815 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB21NM50N
STB21NM50N Elektronické komponenty
STB21NM50N Odbyt
STB21NM50N Dodavatel
STB21NM50N Distributor
STB21NM50N Datová tabulka
STB21NM50N Fotky
STB21NM50N Cena
STB21NM50N Nabídka
STB21NM50N Nejnižší cena
STB21NM50N Vyhledávání
STB21NM50N Nákup
STB21NM50N Chip