STB18N55M5
MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
Číslo dílu
STB18N55M5
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ V
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
550V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
192 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1260pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21484 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB18N55M5
STB18N55M5 Elektronické komponenty
STB18N55M5 Odbyt
STB18N55M5 Dodavatel
STB18N55M5 Distributor
STB18N55M5 Datová tabulka
STB18N55M5 Fotky
STB18N55M5 Cena
STB18N55M5 Nabídka
STB18N55M5 Nejnižší cena
STB18N55M5 Vyhledávání
STB18N55M5 Nákup
STB18N55M5 Chip