STB155N3H6
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Číslo dílu
STB155N3H6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30601 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB155N3H6
STB155N3H6 Elektronické komponenty
STB155N3H6 Odbyt
STB155N3H6 Dodavatel
STB155N3H6 Distributor
STB155N3H6 Datová tabulka
STB155N3H6 Fotky
STB155N3H6 Cena
STB155N3H6 Nabídka
STB155N3H6 Nejnižší cena
STB155N3H6 Vyhledávání
STB155N3H6 Nákup
STB155N3H6 Chip