STB150N3LH6
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Číslo dílu
STB150N3LH6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (D²Pak)
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51443 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB150N3LH6
STB150N3LH6 Elektronické komponenty
STB150N3LH6 Odbyt
STB150N3LH6 Dodavatel
STB150N3LH6 Distributor
STB150N3LH6 Datová tabulka
STB150N3LH6 Fotky
STB150N3LH6 Cena
STB150N3LH6 Nabídka
STB150N3LH6 Nejnižší cena
STB150N3LH6 Vyhledávání
STB150N3LH6 Nákup
STB150N3LH6 Chip