Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB13NM50N-1
MOSFET N-CH 500V 12A I2PAK
Číslo dílu
STB13NM50N-1
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
320 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38107 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB13NM50N-1
STB13NM50N-1 Elektronické komponenty
STB13NM50N-1 Odbyt
STB13NM50N-1 Dodavatel
STB13NM50N-1 Distributor
STB13NM50N-1 Datová tabulka
STB13NM50N-1 Fotky
STB13NM50N-1 Cena
STB13NM50N-1 Nabídka
STB13NM50N-1 Nejnižší cena
STB13NM50N-1 Vyhledávání
STB13NM50N-1 Nákup
STB13NM50N-1 Chip