STB12NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Číslo dílu
STB12NM60N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
410 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
960pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40093 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB12NM60N
STB12NM60N Elektronické komponenty
STB12NM60N Odbyt
STB12NM60N Dodavatel
STB12NM60N Distributor
STB12NM60N Datová tabulka
STB12NM60N Fotky
STB12NM60N Cena
STB12NM60N Nabídka
STB12NM60N Nejnižší cena
STB12NM60N Vyhledávání
STB12NM60N Nákup
STB12NM60N Chip