STB11N65M5
MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Číslo dílu
STB11N65M5
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ V
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
85W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
480 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
644pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52406 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB11N65M5
STB11N65M5 Elektronické komponenty
STB11N65M5 Odbyt
STB11N65M5 Dodavatel
STB11N65M5 Distributor
STB11N65M5 Datová tabulka
STB11N65M5 Fotky
STB11N65M5 Cena
STB11N65M5 Nabídka
STB11N65M5 Nejnižší cena
STB11N65M5 Vyhledávání
STB11N65M5 Nákup
STB11N65M5 Chip