STB11N52K3
MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Číslo dílu
STB11N52K3
Výrobce/značka
Série
SuperMESH3™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
525V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
510 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18075 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB11N52K3
STB11N52K3 Elektronické komponenty
STB11N52K3 Odbyt
STB11N52K3 Dodavatel
STB11N52K3 Distributor
STB11N52K3 Datová tabulka
STB11N52K3 Fotky
STB11N52K3 Cena
STB11N52K3 Nabídka
STB11N52K3 Nejnižší cena
STB11N52K3 Vyhledávání
STB11N52K3 Nákup
STB11N52K3 Chip