STB10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Číslo dílu
STB10N65K3
Výrobce/značka
Série
SuperMESH3™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22041 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB10N65K3
STB10N65K3 Elektronické komponenty
STB10N65K3 Odbyt
STB10N65K3 Dodavatel
STB10N65K3 Distributor
STB10N65K3 Datová tabulka
STB10N65K3 Fotky
STB10N65K3 Cena
STB10N65K3 Nabídka
STB10N65K3 Nejnižší cena
STB10N65K3 Vyhledávání
STB10N65K3 Nákup
STB10N65K3 Chip