Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF640FP
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
Číslo dílu
IRF640FP
Výrobce/značka
Série
MESH OVERLAY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220FP
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35743 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF640FP
IRF640FP Elektronické komponenty
IRF640FP Odbyt
IRF640FP Dodavatel
IRF640FP Distributor
IRF640FP Datová tabulka
IRF640FP Fotky
IRF640FP Cena
IRF640FP Nabídka
IRF640FP Nejnižší cena
IRF640FP Vyhledávání
IRF640FP Nákup
IRF640FP Chip