Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SI8261BAD-C-IM

SI8261BAD-C-IM

DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8LGA
Číslo dílu
SI8261BAD-C-IM
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q100
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
Capacitive Coupling
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C
Dohoda
CQC, CSA, UR, VDE
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VELGA
Počet kanálů
1
Dodavatelský balíček zařízení
8-LGA (10x12.5)
Zdroj napětí
6.5 V ~ 30 V
Proud - Output High, Low
500mA, 1.2A
Napětí - Izolace
5000Vrms
Proud - Špičkový výstup
4A
Časy nahoru/dolů (Tip)
5.5ns, 8.5ns
Dočasná imunita v běžném režimu (min)
35kV/µs
Zpoždění propagace tpLH / tpHL (Max)
60ns, 50ns
Zkreslení šířky pulzu (Max)
28ns
Napětí – vpřed (Vf) (typ)
2.8V (Max)
Proud – DC Forward (If) (Max)
30mA
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22916 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SI8261BAD-C-IM
SI8261BAD-C-IM Elektronické komponenty
SI8261BAD-C-IM Odbyt
SI8261BAD-C-IM Dodavatel
SI8261BAD-C-IM Distributor
SI8261BAD-C-IM Datová tabulka
SI8261BAD-C-IM Fotky
SI8261BAD-C-IM Cena
SI8261BAD-C-IM Nabídka
SI8261BAD-C-IM Nejnižší cena
SI8261BAD-C-IM Vyhledávání
SI8261BAD-C-IM Nákup
SI8261BAD-C-IM Chip