Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SCT3120ALGC11
MOSFET NCH 650V 21A TO247N
Číslo dílu
SCT3120ALGC11
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247N
Ztráta energie (max.)
103W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
156 mOhm @ 6.7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 3.33mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
460pF @ 500V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
VGS (max.)
+22V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10284 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SCT3120ALGC11
SCT3120ALGC11 Elektronické komponenty
SCT3120ALGC11 Odbyt
SCT3120ALGC11 Dodavatel
SCT3120ALGC11 Distributor
SCT3120ALGC11 Datová tabulka
SCT3120ALGC11 Fotky
SCT3120ALGC11 Cena
SCT3120ALGC11 Nabídka
SCT3120ALGC11 Nejnižší cena
SCT3120ALGC11 Vyhledávání
SCT3120ALGC11 Nákup
SCT3120ALGC11 Chip