Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SCT2H12NZGC11
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Číslo dílu
SCT2H12NZGC11
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3PFM, SC-93-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PFM
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
184pF @ 800V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
VGS (max.)
+22V, -6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45651 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11 Elektronické komponenty
SCT2H12NZGC11 Odbyt
SCT2H12NZGC11 Dodavatel
SCT2H12NZGC11 Distributor
SCT2H12NZGC11 Datová tabulka
SCT2H12NZGC11 Fotky
SCT2H12NZGC11 Cena
SCT2H12NZGC11 Nabídka
SCT2H12NZGC11 Nejnižší cena
SCT2H12NZGC11 Vyhledávání
SCT2H12NZGC11 Nákup
SCT2H12NZGC11 Chip