SCT2H12NYTB
1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Číslo dílu
SCT2H12NYTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
44W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
184pF @ 800V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
VGS (max.)
+22V, -6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32243 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SCT2H12NYTB
SCT2H12NYTB Elektronické komponenty
SCT2H12NYTB Odbyt
SCT2H12NYTB Dodavatel
SCT2H12NYTB Distributor
SCT2H12NYTB Datová tabulka
SCT2H12NYTB Fotky
SCT2H12NYTB Cena
SCT2H12NYTB Nabídka
SCT2H12NYTB Nejnižší cena
SCT2H12NYTB Vyhledávání
SCT2H12NYTB Nákup
SCT2H12NYTB Chip