Koupit Rohm Semiconductor RSS110N03FU6TB MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

RSS110N03FU6TB

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

Číslo dílu

RSS110N03FU6TB

Výrobce/značka

Rohm Semiconductor

Série

Stav sekce

Not For New Designs

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Dodavatelský balíček zařízení

8-SOP

Ztráta energie (max.)

2W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

30V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

11A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

10.7 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 10V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

4V, 10V

VGS (max.)

20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 16439 PCS

Kontaktní informace

Související produkty