RSM002P03T2L
MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Číslo dílu
RSM002P03T2L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-723
Dodavatelský balíček zařízení
VMT3
Ztráta energie (max.)
150mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44019 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RSM002P03T2L
RSM002P03T2L Elektronické komponenty
RSM002P03T2L Odbyt
RSM002P03T2L Dodavatel
RSM002P03T2L Distributor
RSM002P03T2L Datová tabulka
RSM002P03T2L Fotky
RSM002P03T2L Cena
RSM002P03T2L Nabídka
RSM002P03T2L Nejnižší cena
RSM002P03T2L Vyhledávání
RSM002P03T2L Nákup
RSM002P03T2L Chip