Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RS1G180MNTB
MOSFET N-CH 40V 18A 8HSOP
Číslo dílu
RS1G180MNTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSOP
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1293pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41434 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RS1G180MNTB
RS1G180MNTB Elektronické komponenty
RS1G180MNTB Odbyt
RS1G180MNTB Dodavatel
RS1G180MNTB Distributor
RS1G180MNTB Datová tabulka
RS1G180MNTB Fotky
RS1G180MNTB Cena
RS1G180MNTB Nabídka
RS1G180MNTB Nejnižší cena
RS1G180MNTB Vyhledávání
RS1G180MNTB Nákup
RS1G180MNTB Chip