RS1E280GNTB
MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
Číslo dílu
RS1E280GNTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSOP
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 31W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.6 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53192 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RS1E280GNTB
RS1E280GNTB Elektronické komponenty
RS1E280GNTB Odbyt
RS1E280GNTB Dodavatel
RS1E280GNTB Distributor
RS1E280GNTB Datová tabulka
RS1E280GNTB Fotky
RS1E280GNTB Cena
RS1E280GNTB Nabídka
RS1E280GNTB Nejnižší cena
RS1E280GNTB Vyhledávání
RS1E280GNTB Nákup
RS1E280GNTB Chip