Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RS1E200BNTB
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Číslo dílu
RS1E200BNTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSOP
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28092 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RS1E200BNTB
RS1E200BNTB Elektronické komponenty
RS1E200BNTB Odbyt
RS1E200BNTB Dodavatel
RS1E200BNTB Distributor
RS1E200BNTB Datová tabulka
RS1E200BNTB Fotky
RS1E200BNTB Cena
RS1E200BNTB Nabídka
RS1E200BNTB Nejnižší cena
RS1E200BNTB Vyhledávání
RS1E200BNTB Nákup
RS1E200BNTB Chip