Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RS1E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Číslo dílu
RS1E180BNTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSOP
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51784 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RS1E180BNTB
RS1E180BNTB Elektronické komponenty
RS1E180BNTB Odbyt
RS1E180BNTB Dodavatel
RS1E180BNTB Distributor
RS1E180BNTB Datová tabulka
RS1E180BNTB Fotky
RS1E180BNTB Cena
RS1E180BNTB Nabídka
RS1E180BNTB Nejnižší cena
RS1E180BNTB Vyhledávání
RS1E180BNTB Nákup
RS1E180BNTB Chip