RQ6E085BNTCR
NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
Číslo dílu
RQ6E085BNTCR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-74, SOT-457
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-457
Ztráta energie (max.)
1.25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26162 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ6E085BNTCR
RQ6E085BNTCR Elektronické komponenty
RQ6E085BNTCR Odbyt
RQ6E085BNTCR Dodavatel
RQ6E085BNTCR Distributor
RQ6E085BNTCR Datová tabulka
RQ6E085BNTCR Fotky
RQ6E085BNTCR Cena
RQ6E085BNTCR Nabídka
RQ6E085BNTCR Nejnižší cena
RQ6E085BNTCR Vyhledávání
RQ6E085BNTCR Nákup
RQ6E085BNTCR Chip