Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RQ6E055BNTCR
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Číslo dílu
RQ6E055BNTCR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
TSMT6 (SC-95)
Ztráta energie (max.)
1.25W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
355pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40525 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ6E055BNTCR
RQ6E055BNTCR Elektronické komponenty
RQ6E055BNTCR Odbyt
RQ6E055BNTCR Dodavatel
RQ6E055BNTCR Distributor
RQ6E055BNTCR Datová tabulka
RQ6E055BNTCR Fotky
RQ6E055BNTCR Cena
RQ6E055BNTCR Nabídka
RQ6E055BNTCR Nejnižší cena
RQ6E055BNTCR Vyhledávání
RQ6E055BNTCR Nákup
RQ6E055BNTCR Chip