RQ6E050ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT
Číslo dílu
RQ6E050ATTCR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
TSMT6 (SC-95)
Ztráta energie (max.)
1.25W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
27 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
940pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29650 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ6E050ATTCR
RQ6E050ATTCR Elektronické komponenty
RQ6E050ATTCR Odbyt
RQ6E050ATTCR Dodavatel
RQ6E050ATTCR Distributor
RQ6E050ATTCR Datová tabulka
RQ6E050ATTCR Fotky
RQ6E050ATTCR Cena
RQ6E050ATTCR Nabídka
RQ6E050ATTCR Nejnižší cena
RQ6E050ATTCR Vyhledávání
RQ6E050ATTCR Nákup
RQ6E050ATTCR Chip