RFN1LAM6STR
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
Číslo dílu
RFN1LAM6STR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOD-128
Dodavatelský balíček zařízení
PMDTM
Typ diody
Standard
Aktuální – Opravený průměr (Io)
800mA
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
1.45V @ 800mA
Proud - Reverzní únik @ Vr
1µA @ 600V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
600V
Rychlost
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
35ns
Provozní teplota - křižovatka
150°C (Max)
Kapacita @ Vr, F
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20369 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFN1LAM6STR
RFN1LAM6STR Elektronické komponenty
RFN1LAM6STR Odbyt
RFN1LAM6STR Dodavatel
RFN1LAM6STR Distributor
RFN1LAM6STR Datová tabulka
RFN1LAM6STR Fotky
RFN1LAM6STR Cena
RFN1LAM6STR Nabídka
RFN1LAM6STR Nejnižší cena
RFN1LAM6STR Vyhledávání
RFN1LAM6STR Nákup
RFN1LAM6STR Chip