Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
R6030KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
Číslo dílu
R6030KNZ1C9
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
305W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52827 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova R6030KNZ1C9
R6030KNZ1C9 Elektronické komponenty
R6030KNZ1C9 Odbyt
R6030KNZ1C9 Dodavatel
R6030KNZ1C9 Distributor
R6030KNZ1C9 Datová tabulka
R6030KNZ1C9 Fotky
R6030KNZ1C9 Cena
R6030KNZ1C9 Nabídka
R6030KNZ1C9 Nejnižší cena
R6030KNZ1C9 Vyhledávání
R6030KNZ1C9 Nákup
R6030KNZ1C9 Chip