Koupit Rohm Semiconductor R6012ANX MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

R6012ANX

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Číslo dílu

R6012ANX

Výrobce/značka

Rohm Semiconductor

Série

Stav sekce

Not For New Designs

Obal

Bulk

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček/pouzdro

TO-220-3 Full Pack

Dodavatelský balíček zařízení

TO-220FM

Ztráta energie (max.)

50W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

12A (Ta)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

420 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 19689 PCS

Kontaktní informace

Související produkty