Koupit Rohm Semiconductor R6006ANDTL MOSFET N-CH 600V 6A CPT

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

R6006ANDTL

MOSFET N-CH 600V 6A CPT

Číslo dílu

R6006ANDTL

Výrobce/značka

Rohm Semiconductor

Série

Stav sekce

Not For New Designs

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Dodavatelský balíček zařízení

CPT3

Ztráta energie (max.)

40W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

1.2 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 45873 PCS

Kontaktní informace

Související produkty