Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MTM231232LBF

MTM231232LBF

MOSFET P-CH 20V 3A
Číslo dílu
MTM231232LBF
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-70, SOT-323
Dodavatelský balíček zařízení
SMini3-G1-B
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39987 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MTM231232LBF
MTM231232LBF Elektronické komponenty
MTM231232LBF Odbyt
MTM231232LBF Dodavatel
MTM231232LBF Distributor
MTM231232LBF Datová tabulka
MTM231232LBF Fotky
MTM231232LBF Cena
MTM231232LBF Nabídka
MTM231232LBF Nejnižší cena
MTM231232LBF Vyhledávání
MTM231232LBF Nákup
MTM231232LBF Chip