2SK303000L
MOSFET N-CH 100V 8A UG-1
Číslo dílu
2SK303000L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
U-G1
Dodavatelský balíček zařízení
U-G1
Ztráta energie (max.)
1W (Ta), 15W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
230 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17956 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova 2SK303000L
2SK303000L Elektronické komponenty
2SK303000L Odbyt
2SK303000L Dodavatel
2SK303000L Distributor
2SK303000L Datová tabulka
2SK303000L Fotky
2SK303000L Cena
2SK303000L Nabídka
2SK303000L Nejnižší cena
2SK303000L Vyhledávání
2SK303000L Nákup
2SK303000L Chip