SI9955DY
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Číslo dílu
SI9955DY
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
900mW
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
345pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25750 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI9955DY
SI9955DY Elektronické komponenty
SI9955DY Odbyt
SI9955DY Dodavatel
SI9955DY Distributor
SI9955DY Datová tabulka
SI9955DY Fotky
SI9955DY Cena
SI9955DY Nabídka
SI9955DY Nejnižší cena
SI9955DY Vyhledávání
SI9955DY Nákup
SI9955DY Chip