Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMFS5833NWFT1G

NVMFS5833NWFT1G

MOSFET N-CH 40V SO8FL
Číslo dílu
NVMFS5833NWFT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Ztráta energie (max.)
3.7W (Ta), 112W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1714pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49579 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVMFS5833NWFT1G
NVMFS5833NWFT1G Elektronické komponenty
NVMFS5833NWFT1G Odbyt
NVMFS5833NWFT1G Dodavatel
NVMFS5833NWFT1G Distributor
NVMFS5833NWFT1G Datová tabulka
NVMFS5833NWFT1G Fotky
NVMFS5833NWFT1G Cena
NVMFS5833NWFT1G Nabídka
NVMFS5833NWFT1G Nejnižší cena
NVMFS5833NWFT1G Vyhledávání
NVMFS5833NWFT1G Nákup
NVMFS5833NWFT1G Chip