Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMFS5830NLWFT1G

NVMFS5830NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL
Číslo dílu
NVMFS5830NLWFT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 158W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
29A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
113nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5880pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42924 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVMFS5830NLWFT1G
NVMFS5830NLWFT1G Elektronické komponenty
NVMFS5830NLWFT1G Odbyt
NVMFS5830NLWFT1G Dodavatel
NVMFS5830NLWFT1G Distributor
NVMFS5830NLWFT1G Datová tabulka
NVMFS5830NLWFT1G Fotky
NVMFS5830NLWFT1G Cena
NVMFS5830NLWFT1G Nabídka
NVMFS5830NLWFT1G Nejnižší cena
NVMFS5830NLWFT1G Vyhledávání
NVMFS5830NLWFT1G Nákup
NVMFS5830NLWFT1G Chip