Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMFS5113PLT1G

NVMFS5113PLT1G

MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
Číslo dílu
NVMFS5113PLT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 150W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta), 64A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46369 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVMFS5113PLT1G
NVMFS5113PLT1G Elektronické komponenty
NVMFS5113PLT1G Odbyt
NVMFS5113PLT1G Dodavatel
NVMFS5113PLT1G Distributor
NVMFS5113PLT1G Datová tabulka
NVMFS5113PLT1G Fotky
NVMFS5113PLT1G Cena
NVMFS5113PLT1G Nabídka
NVMFS5113PLT1G Nejnižší cena
NVMFS5113PLT1G Vyhledávání
NVMFS5113PLT1G Nákup
NVMFS5113PLT1G Chip