Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVMFS4C302NWFT1G

NVMFS4C302NWFT1G

NFET SO8FL 30V 1.15MO
Číslo dílu
NVMFS4C302NWFT1G
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN, 5 Leads
Dodavatelský balíček zařízení
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
43A (Ta), 241A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.15 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5780pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41497 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVMFS4C302NWFT1G
NVMFS4C302NWFT1G Elektronické komponenty
NVMFS4C302NWFT1G Odbyt
NVMFS4C302NWFT1G Dodavatel
NVMFS4C302NWFT1G Distributor
NVMFS4C302NWFT1G Datová tabulka
NVMFS4C302NWFT1G Fotky
NVMFS4C302NWFT1G Cena
NVMFS4C302NWFT1G Nabídka
NVMFS4C302NWFT1G Nejnižší cena
NVMFS4C302NWFT1G Vyhledávání
NVMFS4C302NWFT1G Nákup
NVMFS4C302NWFT1G Chip