Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD5C648NLT4G
T6 60V LL DPAK
Číslo dílu
NVD5C648NLT4G
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 72W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta), 89A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.1 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40867 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVD5C648NLT4G
NVD5C648NLT4G Elektronické komponenty
NVD5C648NLT4G Odbyt
NVD5C648NLT4G Dodavatel
NVD5C648NLT4G Distributor
NVD5C648NLT4G Datová tabulka
NVD5C648NLT4G Fotky
NVD5C648NLT4G Cena
NVD5C648NLT4G Nabídka
NVD5C648NLT4G Nejnižší cena
NVD5C648NLT4G Vyhledávání
NVD5C648NLT4G Nákup
NVD5C648NLT4G Chip