Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD5867NLT4G-TB01
MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK
Číslo dílu
NVD5867NLT4G-TB01
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK-3
Ztráta energie (max.)
3.3W (Ta), 43W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Ta), 22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
39 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
675pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29436 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVD5867NLT4G-TB01
NVD5867NLT4G-TB01 Elektronické komponenty
NVD5867NLT4G-TB01 Odbyt
NVD5867NLT4G-TB01 Dodavatel
NVD5867NLT4G-TB01 Distributor
NVD5867NLT4G-TB01 Datová tabulka
NVD5867NLT4G-TB01 Fotky
NVD5867NLT4G-TB01 Cena
NVD5867NLT4G-TB01 Nabídka
NVD5867NLT4G-TB01 Nejnižší cena
NVD5867NLT4G-TB01 Vyhledávání
NVD5867NLT4G-TB01 Nákup
NVD5867NLT4G-TB01 Chip