Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVD5802NT4G-TB01
MOSFET N-CH 40V 101A DPAK
Číslo dílu
NVD5802NT4G-TB01
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16.4A (Ta), 101A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5300pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40825 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVD5802NT4G-TB01
NVD5802NT4G-TB01 Elektronické komponenty
NVD5802NT4G-TB01 Odbyt
NVD5802NT4G-TB01 Dodavatel
NVD5802NT4G-TB01 Distributor
NVD5802NT4G-TB01 Datová tabulka
NVD5802NT4G-TB01 Fotky
NVD5802NT4G-TB01 Cena
NVD5802NT4G-TB01 Nabídka
NVD5802NT4G-TB01 Nejnižší cena
NVD5802NT4G-TB01 Vyhledávání
NVD5802NT4G-TB01 Nákup
NVD5802NT4G-TB01 Chip