NTTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
Číslo dílu
NTTFS5116PLTWG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerWDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-WDFN (3.3x3.3)
Ztráta energie (max.)
3.2W (Ta), 40W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1258pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54095 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTTFS5116PLTWG
NTTFS5116PLTWG Elektronické komponenty
NTTFS5116PLTWG Odbyt
NTTFS5116PLTWG Dodavatel
NTTFS5116PLTWG Distributor
NTTFS5116PLTWG Datová tabulka
NTTFS5116PLTWG Fotky
NTTFS5116PLTWG Cena
NTTFS5116PLTWG Nabídka
NTTFS5116PLTWG Nejnižší cena
NTTFS5116PLTWG Vyhledávání
NTTFS5116PLTWG Nákup
NTTFS5116PLTWG Chip