Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTR4171PT1G

NTR4171PT1G

MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
Číslo dílu
NTR4171PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
480mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52058 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTR4171PT1G
NTR4171PT1G Elektronické komponenty
NTR4171PT1G Odbyt
NTR4171PT1G Dodavatel
NTR4171PT1G Distributor
NTR4171PT1G Datová tabulka
NTR4171PT1G Fotky
NTR4171PT1G Cena
NTR4171PT1G Nabídka
NTR4171PT1G Nejnižší cena
NTR4171PT1G Vyhledávání
NTR4171PT1G Nákup
NTR4171PT1G Chip